据介绍，亲测起三星电子MicroLED中使用的LED元器件尺寸小于50μm，仅为一般100型高分辨率B2B产品中LED器件的10%

研究发现，明白智含有不同量的脲唑基团的改性嵌段共聚物展现出增强的介电常数（16.2到20.3）和更低的介电损耗（从0.031到0.009）。为了弥补这一缺陷，国内一种方法是通过化学修饰将极性分子直接连接到纳米结构的表面，以增加偶极子极化而不损坏组装体内的导电区域。

这些共聚物能够自组装成不同的纳米结构，亲测起如纳米毛细管、亲测起空心球纳米结构、超螺旋纳米管和核-壳纳米粒子等，而且导电聚乙炔嵌段是包裹在绝缘聚降冰片烯嵌段中的，有利于制备聚合物分子复合材料以进一步改善介电性能。明白智(c)自组装核-壳纳米结构的可控TAD修饰的示意图。当利用FTAD改性共聚物后，国内介电常数从16.2增加到20.3，而介电损耗从0.031降低到0.009。

【图文导读】图1共聚物的合成、亲测起TAD改性和自组装核-壳纳米结构的可控TAD修饰(a)无规共聚物的合成及其TAD改性。明白智(b,c)具有五元环的PA骨架中共轭多烯的非可能TAD反应的图示。

国内(e,f)(PTNP50-25%FTAD)-b-PSHD25的TEM图像。

1,2,4-三唑啉-3,5-二酮（TAD）是一种典型的极性分子，亲测起然而目前基于TAD的点击化学反应很少用于修饰自组装，尤其是全聚合物纳米结构。h-BN/CN的光催化能力之所以得到增强，明白智主要是因为较大的比表面积以及h-BN与CN之间形成了异质结，促进光生载流子的有效分离。

PL，国内光电流和EIS用于检测可见光照射下电子-空穴对的分离效率，实验结果表明将h-BN引入CN可以极大地提高电子-空穴对的分离效率。因此，亲测起h-BN/CN复合材料的光催化活性的提高是由于电子-空穴对较高的分离效率和较大的比表面积所致。

明白智(d)B 1s 图3样品的透射电镜图：（a）g-C3N4,（b）h-BN,（c,d）BC-3图4g-C3N4和BC-3的氮气吸附−脱附等温线及相应的孔径分布曲线图5g-C3N4和BC-3的瞬态光电流图。为了增加活性，国内科研工作者做了许多研究，例如引入杂原子，与其他半导体耦合，用碳系材料改性，控制形态等等。